中國半導體產業起步并不晚,但據很多專家論證,現在中國已落后美國和日本20年以上,而且差距還在不斷拉大。究其原因,我認為主要是體制問題。
半導體作為現代工業的核心產業,各國政府都不遺余力地給予了大力支持。但美、日政府的支持,主要是利用市場經濟杠桿,發揮民營企業的主力軍作用,從稅收、融資利息、官、產、學的協調上給予支持,并未直接干預企業的經營。而我國仍然延用計劃經濟時代的做法,或大包大攬(如對908、909工程和各部的研究所)、或不聞不問(像對我在揚州投資的民營半導體芯片廠)。
在計劃經濟時代,像搞“兩彈一星”工程一樣,國家直接搞半導體,成立了一大批半導體工廠和研究所,這批國營工廠和研究所主要服務于軍工,對外受國外的封鎖,對內不熟悉市場,長期處于封閉環境。雖然集中了大批技術人材,卻未能很好地發揮作用,效率低下、決策緩慢、人浮于事,結果是國家投資無回報,企業生產無利潤,產品銷售不對路。這樣的企業,如果不是國家每年的巨額補貼,連維持下去都成問題,更不要說持續發展、做大做強。另一方面,很多民營的半導體企業,由于沒有國家支持,又搞不起來,這是中國半導體產業發展緩慢的重要原因。
中國半導體產業發展緩慢的另一個瓶頸是發展戰略目標訂得太高,實現這些戰略目標的具體措施又套用大躍進的方法,不按經濟規律辦事,不計成本,結果事倍功半,流于形式,勞民傷財,無法持續發展。如十一五規劃提出要上20條12英寸線和生產193納米準分子激光掃描步進光刻機的戰略目標就不太現實。12英寸生產線的主要產品是CPU和存儲芯片,中國都不具備大量生產的條件。中國設計的“龍芯”、“漢芯”等CPU,且不說質量如何,首先是市場太小,無法支持一條12寸生產線。存儲芯片市場很大,但由于設備、原材料受制于國外,成品率、成本都競爭不過韓國、臺灣、日本的工廠。因為美國、日本把高端的半導體設備看成是戰略物資,明文規定對中國禁運,所以中國只能用一等的價格購買二等的設備,生產三流的產品,F在美國、日本、韓國的12英寸主力線已經批量生產0.065微米的產品,我國北京唯一量產的12英寸廠的主力光刻機還在0.18微米的水平上,成本相差8倍,虧損在所難免。掃描步進光刻機也是一樣。國家投了7億人民幣,讓45所牽頭制造0.13的掃描步進光刻機,也是不現實的。中國現在連接觸式、投影式光刻機都做不好,很難想像幾年后能生產出掃描步進光刻機。首先光源就做不出(日本也做不出,買美國的)。即便做出來了,也賣不出去,更不能賺錢,這樣的形象工程對中國意義不大。
進一步說,生產什么產品,上幾英寸的線不應該是國家產業政策訂,而應該由企業根據相對優勢的原則,決策選擇適合于自身的產品和生產線,把自身的優勢發揮出來,做大做強,追求利潤最大化。一般來說,適合于中國現在的半導體企業的目標,或者說對中國企業來說比較容易賺錢,有發展空間的目標是建立20~30條月產3萬片以上的0.35~2微米的6寸線及15~20條0.18以下的8寸線和2~3條砷化鎵生產線。用這些生產線生產分離器件芯、IGBT、Powermos、電源管理IC、LCDIC、馬達驅動IC、高頻芯片、家電消費類芯片等,爭取在這一領域占世界產量的一半以上。加上為支持這些芯片廠的設備、材料、水、電、氣及凈化設備,如我國也能自己生產,中國就從一個半導體的消費大國變為生產大國,為今后成為半導體強國打下基礎。
阻礙中國半導體產業發展的另一個問題是市場十分混亂,假貨充斥,魚目混珠,走私貨、垃圾貨到處可見。廣東、福建的很多沿海地區,如汕尾等,長期以來從國外大量進口電子垃圾,家家戶戶以拆卸這些垃圾零部件為生,十幾年來,這些地區都遭受重金屬污染,地下水完全不能飲用。不但如此,由于這些從電子垃圾上拆下的零部件成本幾乎為零,大量沖擊市場,使得正品的國產電子器件的價格10年來幾乎降低了90%。
半導體產品為IT產業的核心部件,其質量的好壞直接影響到IT產品的聲譽。由于中國市場上半導體產品為半成品,缺乏品質監管方法,市場競爭無序,產品質量下滑,這樣的例子不勝枚舉。如現在中國5吋 以下的芯片廠有一半都在生產節能燈上的兩個雙極型高壓開關三極管,由于政府沒有相關的嚴格的質量標準,各廠爭相縮小芯片尺寸,打價格戰,結果是管子可靠性大幅降低,被老百姓稱為節能燈節能不省錢,幾個月就不亮了。
LED的半衰期是可靠性的一個非常重要的參數,日本規定為不少于10年,而中國無相應的規定,造成芯片廠省掉加保護膜的工序,產品質量得不到保證,本來可以用10年的產品不到1年就壞了一半。
半導體產業的門檻很高,資金、技術、設備缺一不可,而資金尤為重要,特別是芯片廠,在建設期,廠房、設備都需要巨額的資金,建好了,設備要調試,產品要認證,至少兩年無法營利,需要大量的流動資金支持。但是中國的國有銀行大多不能理解,不愿貸款,認為風險很大。我在揚州的芯片廠(4吋、5吋、6吋共4條線),有設備、有廠房、有土地也貸不了款,負債率為零也貸不了款。沒有辦法,我們只好用老廠的利潤支持新廠,這樣一來,不但發展速度降了下來,而且規模做不大。象我們的6吋廠,規摸大,需要的流動資金更多,老廠的利潤根本養不起,只好停下來。廠房已建好,設備也進去了,因為沒有流動資金,已停了兩年,給公司造成極大的損失。
我是一個中國培養的留學生,用自己的資金,冒著各種風險,克服各種困難,把國外對中國禁運的高科技設備運回國內辦半導體芯片廠,卻得不到銀行的支持,別的民營企業更可想而知。在美國硅谷,半導體產業有風險資金的支持;在日本,有政府專業銀行的低息融資;在韓國,更是舉全國之力用30年把三星(SAMSUNG)和韓國電子(KEC)扶持成了世界知名的半導體企業。而這幾家公司的創始人和我一樣都曾是留日學生,據說他們回到韓國創業時,僅帶了幾千美元;而在中國,沒有相應的措施,融資渠道不暢,嚴重地遏止、制約了半導體產業的發展。
為徹底改善上述局面,使我國半導體產業能順利、迅速地發展,我想提出以下幾點建議, 供決策部門參考。
一、 轉換機制,把支持熟悉國內外市場、有大生產經驗的民營企業做大做強作為半導體產業發展的戰略目標,爭取在十一五計劃期間,扶持5~8個年產值達10億美元以上的半導體工廠和3~5個年產值超1億美元的半導體設備和材料的生產廠家和集成電路設計公司。
二、 為實現上述的戰略目標,必須制定相應的產業政策,用立法的手段予
以公布執行,并隨時根據情況變化而調整。有關政策要明確、可行。
建議制定以下幾方面的具體政策:
1、對硅材料為主的所有半導體材料的出口取消17%增值稅補貼,同時對污染環境為代價的金屬硅的出口加收30%的環保稅。
2、對所有生產多晶硅的廠家,特別是生產半導體級多晶硅的廠家,從2007年起,免收5年增值稅和所得稅。
3、對現在一涌而上的太陽能電池廠家中,光電轉換率達不到18%的劣質產品的廠家實施整改,整改無效的由優秀廠家收購或責令關閉。
4、對所有半導體生產廠家(符合國家環保、質量、安全等相關標準的材料、化劑、設備、芯片、設計等企業),從2007年起,免收5年增值稅和所得稅,并補貼5年5%的投資和流動資金貸款利息。
5、對用電大戶的芯片廠,給予5年電費補貼,每度電補貼0.5元。
6、對6吋以下前道半導體的舊設備、6吋以上前道10年前的舊設備及所有的半導體后道封裝的舊設備進口,一律加收20%的關稅,以保護國內設備廠家的成長。
三、 整合全國的各種資源,由政府牽頭,通過合并、收購等方法,加強
民營企業的競爭力,建議國家讓優秀的民營企業購買或兼并改制后的國
營工廠和研究所,改變科研和產業嚴重脫節的現象。
四、 整頓全國的半導體產品市場,健全半導體產品質量規范和檢查機制,把假冒偽劣產品清理出市場,并且規范廠家的生產經營活動,實行許可證生產制度,對達不到國家要求的所有半導體廠限期停產整改,整改后仍達不到要求的實行關、停、并、轉,從源頭上清除無序競爭,污染環境等不法經營活動,保證產業和市場健康發展。
五、 理順半導體產業的融資渠道,建議由政府出資成立高新產業發展基金,對半導體企業只要有融資需求,一律公平地給予直接投資,或提供融資擔保,金額以不超過該企業注冊資本的50%為限。
放寬半導體企業從國有商業銀行貸款的條件,半導體企業即使沒有利潤,只要有資產,包括設備或有創新的技術軟件條件等,都應該優先獲得國有銀行的低息貸款。同樣,也應該支持半導體企業在國內上交所和深交所優先上市融資。只要有發展前途的半導體企業,不管贏利與否,也不管是否是國營企業,都應放寬條件,1年以內優先上市,支持其快速發展。
相信在政府的大力支持下,中國的半導體產業 ,在未來十年內,一定能夠取得舉世矚目的巨大成就。
以上意見,當否,請指教。
揚州晶新微電子有限公司 揚州晶芯半導體有限公司
揚州中芯半導體有限公司 南京國芯半導體有限公司
甘肅天昊電子有限公司 上海國芯集成電路設計有限公司
董事長、總經理 高 祺
二〇〇七年三月三十一日
聯系電話:手機 13305278928
揚州公司:0514-7953301
南京公司:025-66600888